GlobalWafers начнёт строить техасскую фабрику кремниевых пластин ценой $5 млрд в ноябре

Генеральный директор и председатель совета директоров тайваньской компании GlobalWafers Дорис Хсю (Doris Hsu) сообщила, что в конце ноября в Техасе стартует строительство производственного предприятия стоимостью $5 млрд. Завод будет выпускать кремниевые пластины диаметром 300 мм (12 дюймов) — это основной «полуфабрикат» в полупроводниковой промышленности.

Источник изображения: Gerd Altmann / pixabay.com

Фабрика станет первым построенным в США предприятием, выпускающим кремниевые пластины, более чем за 20 лет — она также окажется важной частью экосистемы, которая с принятием американского Закона о чипах начала активно расширяться. Госпожа Хсю также отметила, что новый нормативный акт стал, конечно, важной, но не единственной причиной решения возвести в Техасе крупное предприятие. Хотя после того, как американские власти заявили о поддержке проекта, GlobalWafers отказалась от реализации аналогичной инициативы в Германии.

О своих планах на американский объект компания рассказала ещё в июне: производственный комплекс площадью 297,3 тыс. м² будет возведён в техасском городе Шерман. В штате Миссури уже действует завод GlobalWafers — площадь предприятия составляет почти 70 тыс. м², здесь выпускаются пластины на 200 и 300 мм. Фабрика в Техасе будет выпускать 1,2 млн кремниевых пластин в месяц, а на производстве будут заняты 1500 сотрудников.

В последние месяцы возрождение полупроводниковой промышленности в США вылилось в заметные и крупные шаги. В конце июля завершилась основная фаза строительства завода TSMC Fab21 в Аризоне — предприятие будет выпускать 100 тыс. пластин в месяц. Micron накануне начала строительство завода, который позволит локализовать до 40 % чипов DRAM в США. На прошлой неделе о старте строительства завода в Огайо объявила Intel — он обойдётся производителю в $20 млрд, а производство стартует в 2025 году.